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1 nm工艺的实现:半导体技术突破了半导体限制工

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英特尔,台积电和三星三大半导体工厂计划今年大规模生产10纳米工艺,并准备在明年启动7纳米工艺,5纳米工艺计划于2020年左右开始。。
然而,随着工艺技术的更新,半导体工艺正在接近其极限并且制造困难正在增加。
到目前为止,5nm及以上的工艺尚未得出明确的结论,因此需要更新晶体管材料和工艺。
此时,美国处于最前沿,美国布鲁克海文国家实验室的研究人员已宣布完成1纳米工艺的制造。
根据EETimes的报告,美国能源部(DOE)的一部分布鲁克海文国家实验室的研究人员宣布创造一项新的世界纪录。他们使用电子束印刷成功生产1纳米印刷设备。
该实验室的研究人员创造性地使用电子显微镜来制造尺寸比传统电子束(EBL)工艺更小且对电子设备更敏感的材料。通过聚焦电子束大大减少了它们。
他们创造的工具可以极大地改变材料的性质,从驱动到透光和两种状态的相互作用。
结果在能源部的功能性纳米材料中心进行,STEM(扫描电子显微镜)用于11nm距离的1nm印刷,从而实现一万亿次功能。平方毫米。特征密度。
通过在羟基硅酸盐电阻器下具有5nm半栅极的STEM偏振校正实现2nm分辨率。
PS:这些技术似乎令人兴奋,但实验室开发的技术并不意味着它们可以非常快速地商业化。Brookhaven Labs的1 nm工艺与目前的光刻工艺非常不同,例如使用电子束代替激光光刻。使用的材料不是硅基半导体,而是PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)。和类似的,并使用硅树脂材料测试。
事实上,这不是科学家第一次实施1纳米工艺。去年,美国能源部另一个国家实验室劳伦斯伯克利国家实验室也宣布了1纳米工艺。他们使用碳纳米管和二硫化钼。
类似地,碳纳米管晶体管与当前的PMMA和电子束光刻技术的当前半导体工艺不同,因此该技术不会很快进入批量生产。他们必须彻底消除现有设备。
EE半导体技术的优势UU实力雄厚,中国在这一领域滞后。期望国内商业公司开发这些新技术是不可能的。你有什么好的建议或意见吗?
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